El fabricante mundial de memorias anunció el comienzo de la producción masiva de los primeros módulos de 128 GB con chips apilados mediante Through Silicon Vias (TSV). Inicialmente estos módulos apuntarán al segmento empresarial, dotando de alta capacidad de memoria a los servidores restringidos en cuanto a consumo energético.
Joo Sun Choi, vicepresidente ejecutivo de marketing y ventas de memorias en Samsung, describió el logro de Samsung en el mercado de memorias: “Estamos complacidos de que el volumen de producción de nuestros módulos DRAM TSV de 128 GB de alta velocidad y bajo consumo habilite a nuestros clientes globales de IT y a nuestros socios a lanzar una nueva generación de soluciones empresariales con mejoras drásticas de eficiencia y escalabilidad. Continuaremos expandiendo nuestra cooperación técnica con líderes globales en servidores, electrónica de consumo y mercados emergentes, donde los consumidores pueden beneficiarse de la tecnología innovadora que mejora su productividad y su experiencia de uso en general”.
Desde el punto de vista técnico, cada módulo RAM DDR4 TSV de 128 GB contiene un total de 144 chips DDR4 dispuestos en 36 paquetes DRAM de 4 GB. El proceso de fabricación de estos chips de memoria es de 20nm, lo que explica su alta eficiencia energética. En cuanto a la velocidad, los módulos RAM DDR4 TSV de 128 GB alcanzarán marcas de hasta 2.400 Mbps (300 MB/seg.).
Los principales competidores de Samsung en este mercado en particular son Micron y SK Hynix. Micron informó anteriormente que planeaba equiparar la participación de mercado de Samsung invirtiendo fuertemente en instalaciones de fabricación de chips de 16 nm, pero hasta ahora el dominio del gigante surcoreano se mantiene intacto. Luego de que se alcance una alta tasa de adopción de los módulos RAM DDR4 en el mercado empresarial, Samsung seguramente comenzará a apuntar al segmento de gamers y usuarios entusiastas de la performance.
