Investigadores de la Universidad de Fudan han desarrollado PoX, una memoria RAM revolucionaria basada en grafeno que realiza 25.000 millones de operaciones por segundo, superando en velocidad y eficiencia a las memorias tradicionales y abriendo nuevas posibilidades para la computación y la inteligencia artificial.

PoX: la nueva memoria RAM 10.000 veces más rápida que revoluciona la computación

Investigadores de la Universidad de Fudan desarrollaron una memoria RAM basada en grafeno que promete cambiar las reglas del juego: realiza 25.000 millones de operaciones por segundo, es no volátil y consume menos energía, lo que podría transformar desde celulares hasta servidores de inteligencia artificial.

Redacción de ITSitio mayo 2, 2025

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Un equipo de científicos de la Universidad de Fudan, en China, acaba de presentar una innovación tecnológica que podría redefinir el futuro de la computación: una memoria RAM denominada PoX, capaz de realizar 25.000 millones de operaciones por segundo, lo que equivale a 400 picosegundos por operación. Para ponerlo en perspectiva, eso la hace 10.000 veces más rápida que las memorias RAM tradicionales utilizadas hoy en dispositivos como computadoras, móviles o servidores.

Este salto monumental en velocidad no solo representa un hito en el ámbito académico, sino que podría transformar radicalmente la experiencia del usuario y la arquitectura de los dispositivos electrónicos, al eliminar por completo los tiempos de espera y carga que hasta ahora se consideraban inevitables.

El poder del grafeno como base tecnológica

El secreto detrás de PoX radica en un material conocido y prometedor: el grafeno. Este material, compuesto por una sola capa de átomos de carbono dispuestos en forma de panal, ha sido considerado durante años como una solución revolucionaria para múltiples aplicaciones, desde baterías hasta dispositivos electrónicos avanzados.

En el caso de esta nueva memoria, el grafeno cumple una función crucial: permite que la carga eléctrica fluya con una resistencia casi nula. Esta característica fundamental es lo que posibilita el procesamiento ultrarrápido de datos en la memoria PoX, que deja atrás a las actuales DRAM (memorias de acceso aleatorio dinámico) y SRAM (memorias estáticas), tanto en velocidad como en eficiencia.

La superinyección: la clave detrás del rendimiento

Otra de las innovaciones técnicas más notables de esta memoria es un fenómeno denominado superinyección, mediante el cual las celdas de memoria son llenadas con electrones a velocidades extremadamente altas. Gracias a este mecanismo, los datos pueden escribirse en tan solo 400 picosegundos, una mejora sustancial respecto al tiempo de escritura de las memorias tradicionales.

Esto no solo mejora el rendimiento general de los dispositivos, sino que también reduce de forma significativa el consumo energético al permitir operaciones más rápidas y eficientes, un aspecto crítico en un mundo donde la eficiencia energética es tan importante como el poder de procesamiento.

Una memoria no volátil: el fin de la pérdida de datos

Uno de los puntos más disruptivos de PoX es que se trata de una memoria no volátil, es decir, mantiene los datos incluso cuando el dispositivo está apagado. Esto representa un cambio de paradigma respecto a la mayoría de las memorias RAM actuales, que requieren un suministro constante de energía para conservar la información almacenada.

Con PoX, los usuarios podrían apagar sus dispositivos sin temor a perder el estado de sus aplicaciones o documentos abiertos, y al encenderlos, todo estaría exactamente como lo dejaron. En otras palabras, se diluye la frontera entre memoria RAM y almacenamiento permanente, algo que también podría simplificar significativamente la arquitectura interna de los dispositivos.

El PoX podría revolucionar la arquitectura de dispositivos electrónicos y centros de datos de inteligencia artificial.

Implicancias para el futuro de la computación y la inteligencia artificial

Además del impacto en la experiencia del usuario final, esta tecnología promete revolucionar el rendimiento de los centros de datos y servidores dedicados a inteligencia artificial. Al combinar velocidad extrema con persistencia de datos y bajo consumo, PoX ofrece una solución ideal para los enormes volúmenes de procesamiento requeridos por los modelos de IA actuales.

En este contexto, PoX podría facilitar el desarrollo de sistemas más rápidos, eficientes y sostenibles, permitiendo entrenamientos y ejecuciones de modelos en tiempos mucho menores y con menores costos energéticos. Para las grandes tecnológicas, esta innovación abre un nuevo capítulo en la carrera por la eficiencia y el rendimiento.

Un vistazo al futuro cercano

Aunque todavía no hay una fecha concreta para su llegada al mercado, la presentación de esta tecnología por parte de la Universidad de Fudan marca un punto de inflexión en la carrera por desarrollar memorias más rápidas, eficientes y versátiles. PoX no solo supera ampliamente a las tecnologías actuales, sino que también establece una nueva dirección para la investigación en hardware de alto rendimiento.

Si logra escalarse y producirse a nivel industrial, podría redefinir los estándares del sector tecnológico en áreas como la computación móvil, la inteligencia artificial, los videojuegos y más. Por ahora, queda seguir de cerca el desarrollo de esta memoria que, por su velocidad y propiedades, promete convertirse en una piedra angular de la próxima era digital.