En la actualidad, los discos de estado sólido con capacidades extremas son muy costosos y ni siquiera los mejores de ellos pueden desplazar a las unidades HDD de alta capacidad utilizadas en aplicaciones de almacenamiento de línea cercana. Sin embargo, gracias a la evolución de la memoria flash NAND en general, y la memoria NAND 3D vertical (3D V-NAND) en particular, la situación podría cambiar pronto, convirtiendo a los SSD de capacidad extrema en una realidad.
Los chips 3D V-NAND que Intel y Micron están desarrollando mediante su emprendimiento Intel Micron Flash Technologies (IMFT) presentarán matrices de celdas apiladas verticalmente en 32 capas interconectadas usando 4.000 millones de TSVs (through silicon vias). Esta técnica habilitará capacidades en los discos de estado sólido que no pueden alcanzarse actualmente. Según Rob Crooke, vicepresidente senior y gerente general del grupo de memoria no volátil de Intel, la memoria flash NAND 3D habilitará discos de 10 TB y más dentro de los próximos dos años.
Para construir sus discos SSD de 4 TB anteriormente este año, SanDisk debió usar 64 paquetes muy costosos de memoria flash NAND eMLC de 64 GB (512 Gb) que se basan en flash NAND plana y están construidos con tecnologías de proceso delgadas. En contraste, el chip de memoria flash NAND MLC 3D de 256 Gb de Intel (capaz de almacenar hasta 32 GB de información) estará construido mediante una tecnología de proceso más “gruesa” y madura, lo que le permitirá descender a costos más bajos. Como resultado, los discos de estado sólido de múltiples terabytes no sólo se volverán una realidad, sino que serán de costo accesible.
Crook usó un prototipo de SSD basado en memoria flash NAND MLC de 256 Gb y 32 capas durante su presentación en la conferencia de inversionistas, lo que significa que la tecnología es viable y los productos basados en ella ya son funcionales.
En la actualidad, Samsung Electronics produce chips de memoria flash 3D V-NAND MLC de 24 y 32 capas usando una tecnología de proceso de 42 nm. Estos chips ofrecen 128 Gb de capacidad. El proyecto de Intel y Micron se presenta más ambicioso que el de Samsung, comenzando con 32 capas y capacidades de 256 Gb, lo que significa que los chips de IMFT serán más eficientes en cuanto al costo que los de Samsung.
Si bien los chips 3D NAND de Intel y Micron podrían presentar el menor costo por bit de la industria, su efecto en el mercado de almacenamiento basado en flash sería limitado. IMFT es capaz de producir alrededor de 70.000 obleas de 300 mm por mes (incluyendo distintos tipos de memoria) según información de un reporte de ChinaFlashMarket.com. Aunque Intel y Micron recurran a terceros para fabricar sus chips, difícilmente alcanzarán los volúmenes que logra Samsung. Esta empresa posee una fábrica en China dedicada únicamente a producir memorias 3D V-NAND con una capacidad de 100.000 obleas de 300 mm por mes, además de que puede producir tales memorias en otras instalaciones.
Tal vez las memorias flash 3D V-NAND de Intel y Micron no revolucionen el mercado de almacenamiento flash en general, pero sin duda contribuirán a la reducción de precios de los SSD, consiguiendo que aún las notebooks más accesibles incorporen esta clase de discos.
