La empresa coreana presentó un nuevo chip flash NAND que posibilitará que los smartphones y tablets de bajo costo contengan hasta 128 GB de espacio de almacenamiento. La nueva memoria adhiere al estándar eMMC y está basada en tecnología de celdas de triple nivel (TLC), cuya fabricación es menos costosa que las soluciones de celdas multi-nivel de similar capacidad.
Las soluciones de memoria flash NAND de 3 bits por celda de Samsung, con capacidades de hasta 128 GB, cumplen con las especificaciones eMMC 5.0, siendo compatibles con los principales procesadores de aplicaciones de la actualidad destinados al mercado masivo. El dispositivo flash NAND TLC para aplicaciones móviles ofrece una velocidad de lectura secuencial de hasta 260 MB/seg. y puede manejar hasta 6000 IOPS (operaciones de E/S por segundo) de lectura y 5000 IOPS de escritura. Si bien la performance de la nueva memoria de Samsung está por debajo de sus contrapartes eMMC 5.1 fabricadas con flash NAND MLC, debería ser suficiente para los equipos destinados al mercado de rango medio. Samsung asegura que su nueva memoria presenta la mayor densidad de la industria en materia de chips eMMC 5.0.
Tradicionalmente, la memoria flash NAND TLC (también conocida como NAND de 3 bits por celda) ha sido usada para tarjetas de memoria, reproductores de música para autos, unidades USB y otras aplicaciones de consumo que no reescriben la información con mucha frecuencia. Para aplicaciones de almacenamiento de estado sólido (como SSDs y smartphones) los fabricantes de dispositivos prefieren usar NAND MLC. La memoria estándar MLC (también conocida como NAND de 2 bits por celda) puede durar normalmente entre 3.000 y 10.000 ciclos de borrado/grabación, mientras que la TLC llega normalmente hasta 1.000 ciclos de borrado/grabación. Para dar mayor confiabilidad a los dispositivos de almacenamiento basados en TLC se requiere un firmware especialmente diseñado para balancear performance, confiabilidad y vida útil.
“Con la presentación de nuestra línea NAND eMMC 5.0 de 3 bits por celda, esperamos liderar la expansión del almacenamiento móvil de alta densidad”, dijo Jung-Bae Lee, vicepresidente senior de planificación de productos de memoria e ingeniería de aplicaciones en Samsung Electronics. “Estamos continuamente mejorando nuestro portfolio de memoria embebida de próxima generación con más performance y mayores densidades para alcanzar la creciente demanda de los clientes a lo largo de la industria móvil”.
Samsung utiliza memoria NAND TLC en diversas aplicaciones, incluyendo discos de estado sólido para PCs clientes y servidores. Por eso no sorprende que la compañía planee ofrecer soluciones basadas en TLC para smartphones y tablets de bajo costo. La empresa comenzará a distribuir sus nuevas memorias en los próximos meses.
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