En octubre pasado, Samsung comenzó a producir masivamente sus memorias flash V-NAND 3D de 3 bits por celda, y recientemente las empleó como fundamento para su nuevo disco de estado sólido (SSD) 850 EVO. En relación al SSD 850 Pro, que usa memorias V-NAND 3D de 2 bits por celda, el 850 EVO es (según Samsung) más apto para notebooks de alta gama y PCs de gaming.
Los SSDs con memoria V-NAND 3D logran mayores densidades y menores costos apilando las celdas NAND en lugar de reducirlas de tamaño. Y con 3 bits por celda, es posible contar con densidades aún mayores en los SSDs que las emplean, hecho que se ve demostrado al considerar las opciones de capacidad del nuevo disco de estado sólido 850 EVO de Samsung, que van desde 120 GB hasta 1 TB. Todos los modelos presentan un consumo energético de 50 mWatts y encriptan a la información utilizando AES 256-bit, TCG/Opal o IEEE1667. La garantía de 5 años del 850 EVO es inferior a la del 850 Pro (diez años) pero su confiabilidad está garantizada por al menos 2 millones de horas de uso.
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Con la excepción del modelo de 1 TB, que usa el controlador MEX de Samsung, el resto de los modelos 850 EVO usan el controlador MGX. Todos los modelos presentan velocidades de lectura/escritura secuenciales de 540 y 520 Mbps respectivamente, y en cuanto a rendimiento en operaciones aleatorias, los modelos de 1 TB y de 500 GB ofrecen velocidades de 98.000 IOPS para lectura y de 90.000 IOPS para escritura, mientras que el de 250 GB ofrece 97.000/88.000 IOPS (lectura/escritura) y el de 120 GB, 94.000/88.000 IOPS.
Samsung está decididamente poniendo sus fichas en el mercado de SSD. Ya tiene planes de lanzar modelos del 850 EVO con más opciones de interfaces, específicamente mSATA y M.2.
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