El fabricante anunció el inicio de la fabricación masiva de sus más avanzadas memorias basadas en una tecnología de proceso de 20 nanómetros, pensadas para usarse en una amplia gama de aplicaciones de cómputo. Con este anuncio, la empresa alcanza un nuevo hito en materia de escalamiento de memoria DRAM.
Con la memoria DRAM, en la cual cada celda consta de un capacitor y un transistor vinculados entre sí, la reducción de tamaño es más difícil que con la memoria flash NAND, en donde cada celda sólo necesita un transistor. Para lograr un escalamiento de DRAM más avanzada, Samsung refinó sus tecnologías de diseño y fabricación, obteniendo los que denominó doble empatronado modificado y deposición de capa atómica.
La tecnología de doble empatronado modificada de Samsung marca un hito al habilitar la fabricación de memorias DDR3 de 20nm utilizando equipamiento actual de fotolitografía y estableciendo la tecnología clave para fabricar la próxima generación de DRAM de 10nm. Samsung también creó exitosamente capas dieléctricas ultradelgadas de capacitores de celda, con una uniformidad sin precedentes, lo cual resultó en una mayor performance por celda.
Con las nuevas memorias DRAM DDR3 de 20nm aplicando estas tecnologías, Samsung también logró mejorar la productividad de sus procesos de fabricación, alcanzando mejoras de más del 20 por ciento sobre los procesos previos de DDR3 de 25nm, y duplicando los procesos de DDR3 de 30nm. Adicionalmente, los módulos basados en las nuevas memorias DDR3 de 4 Gb y 20nm pueden ahorrar hasta 25 por ciento de la energía consumida por módulos equivalentes fabricados bajo un proceso de 25nm. Esta mejora sienta las bases para ofrecer las más avanzadas soluciones ecológicas de IT a las compañías globales.
Según investigaciones de mercado de Gartner Group, el mercado global de DRAM crecerá desde U$S 35.600 millones en 2013 a U$S 37.900 millones en 2014.
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