El fabricante anunció el comienzo de la producción masiva de chips de memoria DDR4 utilizando una tecnología de proceso de 20nm. Las memorias DDR4 se orientarán a una nueva generación de servidores empresariales para futuros centros de datos. Los primeros módulos de memoria DDR4 para servidores estarán disponibles en algún momento del año próximo.
La disponibilidad temprana de chips de memoria DDR4 de 4 Gb, fabricados con una tecnología de proceso de 20nm, estimulará la demanda de módulos de memoria DDR4 de 16 y 32 GB de capacidad. Los chips DDR4 de 4 Gb poseen una tasa de transmisión de 2667 MHz, lo que representa un 25 por ciento de aumento con respecto a los chips DDR3 de 20nm, y su consumo energético se reduce un 30 por ciento en relación a éstos. Los módulos DIMM DDR de 32 GB operarán a una velocidad efectiva de 2133 MHz.
En los servidores empresariales de próxima generación, el uso de memoria DRAM de alta velocidad eleva la performance a nivel de sistema y reduce el consumo energético significativamente. Al adoptar memoria DDR4 en forma temprana, los OEMs podrán minimizar costos operativos y maximizar la performance para conseguir retornos de inversión más favorables.
“La adopción de DDR4 de velocidad ultra-alta en la próxima generación de servidores iniciará una migración hacia memoria premium de avanzada en las empresas”, dijo Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung Electronics. “Luego de brindar una performance de vanguardia con nuestra provisión de DDR3 de 16 GB anteriormente este año, estamos extendiendo el mercado premium de servidores en 2013, y ahora nos enfocaremos en mayor densidad y performance agregada con DDR4 de 32 GB, contribuyendo a un crecimiento aún mayor del mercado verde de IT en 2014”.
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