Las dos compañías presentan su nueva tecnología de memoria, la cual funciona para incrementar la densidad de almacenamiento con modelos para laptops ultraportátiles, centros de datos y dispositivos móviles.
La tecnología, desarrollada en conjunto por ambas firmas, usa chips fabricados con celdas de almacenamiento sobrepuestas una ante otra, pero con capas de conexión entre ellas.
De esta forma es posible triplicar la capacidad de unidades con la tecnología NAND flash actual y así ofrecer más espacio de almacenamiento, menor consumo de recursos y mayor rendimiento.
Por tanto, la tecnología de memoria NAND 3D utiliza varias pilas de celdas de memoria flash apiladas en 32 capas en módulos Multi Level Cell (MLC) de 256 Gigabits o en celdas Triple Level Cell (TLC) de 384 Gb, para lo cual emplea la misma área que los módulos de memoria conocidos hasta ahora.
Esto resulta en un aumento de la densidad que permitirá crear, por ejemplo, dispositivos SSD en formato M.2 de más de 3.5 terabytes de capacidad; o bien, los mismos dispositivos con más de 10 Tb al utilizar el tamaño estándar de 2.5 pulgadas. Gracias a que esta amplitud se aumenta en vertical y no es necesario un PCB grande para integrar los chips.
De cara al futuro, este tamaño vertical se podrá aumentar para integrar más capacidad en el mismo espacio.
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