El desarrollo de DDR4 comenzó varios años después de que se inició la comercialización de DDR3, y requirió cerca de 9 años para que las memorias DDR4 pasaran de los tableros de diseño a las computadoras reales. Actualmente, los principales nombres de la industria de las memorias están trabajando en el estándar que vendrá después de DDR4. Según Samsung, los prototipos podrían exhibirse en 2018, pero la adopción comenzaría recién después del año 2020.
Las memorias post-DDR4 se usarán en servidores, equipos de escritorio y notebooks, lo que significa que deberán ser escalables en términos de capacidad, performance, consumo energético y costos. Los dispositivos ultra portátiles continuarán usando tecnologías de memoria del estilo de LPDDR4, mientras que las aplicaciones exigentes de ancho debanda (tales como placas gráficas) dependerán de la memoria de alto ancho de banda (HBM). Por esta razón, el próximo estándar de memoria DRAM estará eximido de adaptarse a dispositivos móviles y sistemas de alta exigencia de ancho de banda.
Durante la última edición del Intel Developer Forum, llevada a cabo el mes pasado, Samsung Electronics reveló algunos objetivos preliminares que la memoria post-DDR4 deberá alcanzar. Los índices de datos de la futura DRAM se elevarán hasta 6,4 Gb/seg. por pin, con posibilidades de futuros incrementos, cosa que hará posibles módulos de memoria con hasta 51,2 GB/seg. de ancho de banda. Las capacidades de los dispositivos de memoria se incrementarán desde los 4 u 8 Gb actuales hasta 32 Gb dentro del ciclo de vida de la memoria post-DDR4, lo cual ayudará a construir módulos con 8 chips con capacidades de 32 GB. Los circuitos integrados de las memorias post-DDR4 se fabricarán con tecnologías de proceso de menos de 10nm, según se puede ver en diapositivas de Samsung publicadas por el sitio ComputerBase.
El estándar DDR4 puede ofrecer una performance muy alta, pero posee sus limitaciones: máximo de dos módulos de memoria por canal (excepto mediante el uso de buffers especiales), frecuencias de reloj máximas de alrededor de 4,26 GHz y una cantidad limitada de dispositivos de memoria por cada chip apilado verticalmente. La tecnología post-DDR4 debería superar estas limitaciones, pero eso podría requerir un importante rediseño de la arquitectura de memoria en general. Por ejemplo, algunas de las cosas que Samsung está considerando actualmente incluyen interfaces ópticas, junto con packaging 2.5D ó 3D.
En la actualidad, no hay definiciones precisas en torno a la memoria post-DDR4, especialmente en cuanto a sus interfaces y su arquitectura de núcleo. Si los fabricantes de memoria DRAM deciden cambiar radicalmente las interfaces y la arquitectura de la DRAM que se usará desde 2020 en adelante, entonces el concepto mismo de DDR podría quedar obsoleto.
Samsung apunta a producir los primeros prototipos de memoria post-DDR4 durante 2018. La adopción de las futuras memorias dependerá de múltiples factores, incluyendo el escalamiento de DDR4 en términos de índices de datos y voltajes, junto con requerimientos de mercado. Teniendo en cuenta las complejidades asociadas con la estandarización de nuevas clases de DRAM y su producción masiva, es factible que la memoria post-DDR4 no salga al mercado en 2020, sino varios años después.
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