La empresa anunció el inicio de la producción masiva de los primeros módulos RDIMM DDR4 de 64 GB de la industria. Estos módulos emplean la tecnología tridimensional de packaging TSV (through silicon via) y están diseñados para una nueva generación de servidores empresariales y aplicaciones basadas en nube.
Los nuevos módulos RDIMM (registered dual inline memory modules) que Samsung comenzó a fabricar contienen 36 chips DRAM DDR4, cada uno de los cuales consta de cuatro pastillas DRAM DDR4 de 4 Gb. Los chips de bajo consumo son fabricados utilizando el proceso de 20nm de Samsung y una tecnología de packaging 3D TSV (through silicon via). Los módulos DDR4 de 64 GB alcanzan una velocidad de 2133 MHz y son compatibles con los servidores basados en los chips Intel Xeon E5 “Haswell-EP”.
Dado que la arquitectura DRAM DDR4 admite una cantidad limitada de módulos RDIMM por canal, para aumentar la cantidad de memoria disponible en los futuros servidores será necesario incrementar la capacidad de los módulos individuales. Teniendo en cuenta que los dispositivos DRAM de 16 Gb no están ni siquiera en el horizonte, Samsung emplea la tecnología TSV para crear chips de memoria apilados (3D) con capacidades de 32 Gb, 64 Gb o más. Samsung considera que podrá apilar más de cuatro pastillas DDR4 usando su tecnología 3D TSV, de forma tal de crear módulos DRAM de aún más densidad. Esto acelerará la expansión del mercado de memorias premium, alineándose con la aceleración de la transición de la tecnología DDR3 a la DDR4 en el mercado de servidores.
“Samsung está reforzando su costado competitivo en el mercado de DRAM con su nueva e innovadora solución basada en su tecnología TSV 3D, impulsando a su vez el crecimiento en el mercado global de DRAM”, dijo Jeeho Baek, vicepresidente de marketing de memorias en Samsung Electronics. “Al presentar módulos DDR4 altamente eficientes ensamblados con TSV 3D, estamos dando un gran paso hacia delante en el mercado masivo de DDR4, el cual debería expandirse drásticamente con el esperado lanzamiento de las CPUs de próxima generación en la segunda mitad de este año”.
Según un informe de investigación de Gartner, el mercado global de DRAM espera un crecimiento de U$S 38.600 millones y 29.800 millones de unidades (equivalentes a 1 Gb) hacia fin de año. Gartner también predijo que el mercado de servidores se llevará más del 20 por ciento de la producción de DRAM este año, con aproximadamente 6.700 millones de unidades equivalentes a 1 Gb.
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