Samsung inició la producción de sus chips bajo el proceso de fabricación FinFET Low Power Plus de 14 nanómetros de segunda generación, los cuales estarán destinados a equipar dispositivos móviles que, según presume la marca, serán más eficientes en consumo de energía, se calentarán menos y tendrán un mejor rendimiento.
En anteriores ocasiones, el fabricante surcoreano explicaba que logró integrar una estructura FinFET de tres dimensiones en los transistores, con lo que mejoran en gran medida su eficiencia. De hecho, aseguró que el proceso 14 LPP incrementa en un 15% la velocidad de funcionamiento y consume un 15% menos que la anterior generación.
Los chips de 14 LPP de segunda generación fueron desarrollados en colaboración con GlobalFoundries, y serán utilizados para crear los próximos SoC Samsung Exynos 8 Octa, los cuales, según las características que presumió Samsung, serán más eficientes que el Exynos 7.
En el primer trimestre del año pasado, la marca anunció los procesadores para móviles Exynos 7 de ocho núcleos, unos procesadores que entonces empleaban el proceso de fabricación FinFET LPE (Low Power Early) a 14 nanómetros.
Además de los procesadores de la compañía asiática, estos novedosos circuitos integrados serán utilizados por fabricantes como Qualcomm, que aparentemente los tiene destinados a potenciar su procesador Qualcomm SnapDragon 820.
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