La japonesa ha revelado la segunda generación de la tecnología de fabricación en 19 nanómetros que aplicará a la producción en masa de chips de memoria NAND de 64 gigabits de dos bits por célula, con lo cual –sostiene– serán los más pequeños desarrollados hasta ahora, con un tamaño de 94 milímetros cuadrados.
En 2012, la nipona lanzó al mercado sus SSDs denominados THNSNH Series, que integran la primera generación de memoria NAND Flash de 19nm desarrollada por el mismo fabricante. Ahora, con la segunda generación de memorias a 19nm, permitirá la producción de chips NAND de 64 gigabits y 2 bits por celda por lo que se reducirá más el tamaño para lograr un área de 94 milímetros cuadrados y pueden alcanzar velocidad de escritura de 25 MB/s, por lo que asegura que son los más rápidos de 2 bits por celda.
Además, indica Toshiba, mediante esta nueva generación de proceso de fabricación, también trabaja en el desarrollo de chips de tres bits por célula, innovación que podría comenzar su producción en masa en el segundo trimestre del año fiscal.
Desglosa que, en un primer paso, la compañía introducirá productos basados en chips de tres bits por célula para smartphones y tablets, desarrollando un controlador compatible con eMMC, y consecuentemente extenderá su utilización para notebooks utilizando una controladora compatible con SSD.
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