La joven y californiana empresa Crossbar, especializada en tecnologías de memoria no volátil RRAM (RAM resistiva), anunció que su chip RRAM 3D de 1 MB está ya en fase de preproducción. Estos chips podrían reducir sustancialmente los costos y aumentar la densidad y la durabilidad del almacenamiento en memoria no volátil, consiguiendo posiblemente el reemplazo definitivo de los discos magnéticos.
El manejo de arquitecturas densas de memoria siempre ha sido una batalla contra el consumo energético. Varias formas de memoria densa se han topado con problemas de corrientes subrepticias de energía que aparecen al acceder a la memoria, llevando a consumos energéticos irracionalmente elevados.
El nuevo chip RRAM de Crossbar resuelve los problemas de la memoria densa utilizando una arquitectura denominada 1TnR, en la cual un único transistor conduce a n celdas de memoria resistiva. “El logro técnico delineado por 1TnR es verdaderamente destacable, proveyendo el camino más viable para conseguir alta densidad extrema, combinada con alta confiabilidad y performance en almacenamiento de estado sólido”, aseguró Sherry Garber, socio fundador de la firma de análisis de mercado Convergent Semiconductors.
La tecnología 1TnR es capaz de manejar una cantidad relativamente grande de celdas de memoria con un único transistor, lo que deriva en almacenamiento de estado sólido denso y de alta capacidad. El nuevo chip de Crossbar contiene más de 2.000 celdas de memoria impulsadas por un único transistor.
El chip de Crossbar apunta a resolver también otros problemas encontrados en las configuraciones de flash NAND tradicionales, además del problema de la densidad. En primer lugar, la degradación de las celdas de memoria siempre ha sido un problema de la flash NAND, y aunque se han logrado importantes mejoras en los últimos años, el chip de Crossbar lo resuelve de raíz. La RRAM evita el problema en forma inherente debido a su estructura de nano-filamentos metálicos dispuestos sobre una capa no conductora. A su vez, la RRAM de Crossbar es económicamente más viable que la memoria flash NAND, dado que los chips RRAM pueden fabricarse sobre obleas CMOS.
“Con las innovaciones en 1TnR de Crossbar, podremos avizorar un futuro en el que la memoria no volátil pueda ser efectiva en cuanto al costo en forma realista, y se consigan altos rendimientos sin necesidad de apilar 32 o más capas conectadas en forma monolítica, posiblemente consiguiendo reemplazar a los discos rígidos tradicionales en toda aplicación”, comentó Alan Niebel, fundador y CEO de la empresa de investigación Webfeet Research.
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