Samsung Electronics ya produce los primeros chips para memorias RAM DDR4 de 8 gigabits fabricados en un proceso a 10 nanómetros, los cuales se emplearán en sus módulos de memoria de próxima generación.
La firma surcoreana asegura que se trata de los primeros chips DDR4 de 10 nm de la industria, y comparte que para lograrlo se basó en un proceso de inmersión en ArF (fluorato de argón), sin utilizar equipamiento EUV (extreme ultra violet).
Con ello, no sólo las obleas de chips saldrán más rentables, sino que se reducen los costos de fabricación y, por ende, el precio final del producto.
Además, Samsung presume que en menos de dos años ha logrado reducir la mitad la litografía de los chips pues asegura que fue el primero en fabricar chips DDR3 de 4 Gb (gigabit) a 20 nanómetros en 2014.
Se espera que los primeros productos comerciales de Samsung con estos nuevos chips DRAM de 8 Gb a 10 nm lleguen en el cuarto trimestre de este año, aplicados tanto a dispositivos móviles de la compañía como a memorias RAM para el mercado del consumidor.
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