Samsung presume que es el primer fabricante en producir en masa chips de memorias DRAM GDDR5 de 8 gigabits por segundo (Gbps), basadas en la tecnología de proceso de 20 nanómetros (nm).
El ancho de banda, que promete la firma surcoreana para estos chips, permitirá ofrecer una memoria que funcione a una tasa de entrada y salida (E / S) de datos de 8 Gbps por pin.
Con dichas características, Samsung dice que estará multiplicando por cuatro la velocidad de la tecnología DRAM DDR3. Además, sugiere que al usarse en gráficos discretos esta DRAM proporcionará una gran cantidad de ancho de banda para procesar una alta cantidad de flujo de datos.
“Esperamos que nuestro desarrollo GDDR5 de 8Gb proporcionará a los fabricantes de equipos originales (OEM) la mejor solución de memoria gráfica disponible para las consolas de juego, así como el uso general de los PC portátiles”, afirma Sun Joo Choi, vicepresidente Ejecutivo de Ventas y Marketing de memoria de Samsung Electronics.
Estos microchips servirán para potenciar las tarjetas gráficas para computadoras personales de gama alta, indica la empresa y añade que también podrían integrarse equipos de supercomputación y consolas de nueva generación.
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