Intel Foundry y ASML anunciaron nuevos avances en la implementación de la tecnología de litografía EUV High-NA, considerada clave para la fabricación de chips cada vez más pequeños, potentes y eficientes. Ambas compañías destacaron que ya se procesaron más de un millón de obleas utilizando esta tecnología en distintas etapas de certificación, investigación, desarrollo y producción.
Las novedades fueron presentadas durante la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, donde Intel Foundry y ASML repasaron el estado actual de la tecnología y los próximos pasos necesarios para llevarla a una adopción más amplia dentro de la industria de semiconductores.
Más de un millón de obleas procesadas con EUV High-NA
Según Intel, la tecnología High-NA ya se está utilizando en procesos de fabricación de alto volumen en Intel Foundry. Hasta el momento, más de un millón de obleas pasaron por equipos utilizados para certificación, pruebas iniciales, investigación y desarrollo, además de la producción en volumen de determinadas capas de los procesadores Intel Core Ultra Serie 3, cuyo nombre en código es Panther Lake.
La compañía aseguró que parámetros fundamentales como la precisión de superposición (overlay), la capacidad de procesamiento (throughput) y la disponibilidad de los equipos están cumpliendo con sus expectativas. Esto representa un paso importante para demostrar que EUV High-NA puede utilizarse en condiciones de producción reales.
Además, los productos fabricados con el nodo Intel 18A, que utilizan High-NA para determinadas capas, continúan ofreciendo un rendimiento que iguala o incluso supera al de capas similares fabricadas mediante la plataforma NXE, basada en EUV con una apertura numérica de 0,33.
Intel y ASML preparan el futuro de las máscaras
Uno de los principales desafíos para la expansión de EUV High-NA está relacionado con el formato de las fotomáscaras utilizadas durante la fabricación. Intel destacó que los clientes pueden aprovechar actualmente las ventajas de High-NA utilizando el formato estándar de máscaras de 6 pulgadas, ya sea mediante técnicas de planificación del diseño o a través de tecnologías de stitching, que permiten unir diferentes partes del patrón.
Intel Foundry también trabaja en la transición hacia un nuevo formato de máscaras de 6 x 12 pulgadas, que será importante para el futuro escalado de la tecnología. La compañía lleva más de tres años trabajando junto con ASML, fabricantes de máscaras, proveedores de automatización, empresas de herramientas EDA, proveedores de materiales y otros fabricantes de semiconductores para desarrollar los estándares y la infraestructura necesarios.
“Intel Foundry ha sido uno de los principales líderes en la adopción de la tecnología High-NA en la industria, desde la instalación del primer sistema comercial EXE en 2024 y la validación de la última generación de equipos, hasta el envío del primer producto lógico de alto volumen fabricado con High-NA”, afirmó Christophe Fouquet, presidente y CEO de ASML.
Por su parte, Naga Chandrasekaran, vicepresidente ejecutivo y codirector general de Intel Foundry, destacó que la compañía busca facilitar la adopción de esta tecnología en el corto plazo mediante las actuales máscaras de 6 pulgadas, tanto con técnicas de stitching como sin ellas, mientras prepara el camino hacia el formato de 6 x 12 pulgadas.
El stitching, una tecnología clave para High-NA
Durante la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, ambas compañías también presentaron novedades relacionadas con el stitching de retículas, una técnica que permite utilizar EUV High-NA con las máscaras estándar de 6 pulgadas disponibles actualmente.
La técnica resulta especialmente relevante porque permite aprovechar las ventajas de la mayor apertura numérica sin esperar a que toda la industria complete la transición hacia los nuevos formatos de máscaras. En este sentido, Intel y ASML buscan que el ecosistema pueda adoptar High-NA de manera progresiva, reduciendo las barreras de entrada para fabricantes y diseñadores.
Jan van Schoot, de ASML, presentó el 8 de septiembre el trabajo denominado “Requisitos del escáner y la máscara para soportar la unión de medio campo (half field stitching)”. Posteriormente, Kimberly Pierce, de Intel Foundry, presentó “EUV High-NA: el stitching en la fabricación”, centrado en la aplicación de esta tecnología dentro de los procesos de producción.
El avance de EUV High-NA representa uno de los próximos grandes pasos en la evolución de la fabricación de semiconductores. La colaboración entre Intel Foundry y ASML busca acelerar la llegada de esta tecnología a la producción a gran escala y establecer las bases para fabricar los futuros chips destinados a aplicaciones de inteligencia artificial, computación de alto rendimiento y dispositivos de nueva generación.
Leer más
Fuiste víctima de un deepfake: ¿qué se debe hacer?
AMD presentó dos nuevos procesadores para PCs de escritorio de la familia Ryzen 5
Compartir nota:
