Las nuevas memorias flash son compatibles con SPI (Serial Peripheral Interface), un estándar ampliamente utilizado en aplicaciones industriales, smart-TVs, wearables y otros dispositivos embebidos. Toshiba ya inició la distribución de muestras de los chips, previendo comenzar la producción masiva en diciembre.
El anuncio de Toshiba incluye 12 productos que ofrecen tres opciones de densidad: 1 Gbit, 2 Gbit y 4 Gbit; dos formatos: WSON y SOP, y dos voltajes de suministro energético. La producción masiva de las memorias flash comenzará en diciembre con los modelos de 1 Gbit de densidad.
La compatibilidad con la interfaz SPI, que puede controlarse con sólo seis pines, permite que la nueva Serial Interface NAND sea utilizada como memoria flash NAND SLC, combinando una baja cantidad de pines, un formato pequeño y gran capacidad de almacenamiento.
La memoria flash NOR es comúnmente utilizada en aplicaciones embebidas en dispositivos industriales y para consumidores. Sin embargo, para alcanzar funcionalidad extra en los dispositivos embebidos, está creciendo la demanda de mayores densidades de memoria para almacenar software (programas de booteo, firmware y sistemas operativos embebidos) y datos. Esta tendencia está impulsando la demanda de memoria flash NAND SLC, que ofrece mayores densidades y confiabilidad y un menor costo por bit que la memoria flash NOR.
Al agregar las memorias Serial Interface NAND a su línea de productos, Toshiba apunta a cubrir las necesidades de un mercado de gran amplitud y a expandir el mercado de la memoria flash NAND.
