SanDisk presentó su solución de almacenamiento iNAND 7232, orientada específicamente a sistemas embebidos, en el Mobile World Congress en Shanghai, China. Esta nueva versión de la memoria no volátil para embebidos es una evolución de la iNAND 7132 dada a conocer el pasado mes de marzo.
SanDisk llevó a cabo una migración a tecnología NAND TLC (3 bits por celda) de 15 nanómetros (nm) para esta nueva solución de almacenamiento embebido, cuyas opciones de capacidad se sitúan entre 32 y 128 GB. La memoria flash NAND TLC de 15 nm provee mayor densidad y menores costos para los medios que la utilizan. El nuevo modelo ofrece hasta el doble de capacidad en relación a la generación previa (iNAND 7132).
El iNAND 7232 adhiere a la especificación eMMC 5.1+ HS400, la cual incluye command queuing, con mejoras para habilitar al dispositivo a procesar múltiples comandos en paralelo, en lugar de resolver solicitudes de datos en forma seriada. El agregado de command queuing también posibilita que los productos eMMC mantengan su competitividad con las alternativas UFS.
Debido a que la memoria TLC no tiene tanta durabilidad ni performance como la memoria flash NAND MLC, SanDisk incorporó en su nuevo disco para embebidos la segunda generación de su tecnología SmartSLC. Esta tecnología cumple el doble propósito de incrementar la durabilidad y mejorar la performance al guardar en caché SLC toda la información a escribir en la unidad, antes de pasarla a la capa TLC. Al migrar a litografías NAND de menores dimensiones, las técnicas como SmartSLC se vuelven más importantes para posibilidad niveles adecuados de durabilidad.
