Intel y Micron presentaron una nueva clase de memoria llamada 3D XPoint. La nueva tecnología combina las ventajas de la DRAM y la flash NAND, y se espera que en el futuro haga posibles soluciones de almacenamiento con niveles de performance varios órdenes de magnitud por encima de los actuales. Las memorias 3D XPoint serán fabricadas exclusivamente por Intel y Micron, cosa que podría frenar su adopción masiva.
La tecnología 3D XPoint, desarrollada por Intel y Micron, es la primera tecnología de memoria revolucionaria desde la aparición de la flash NAND en los años 80. La nueva clase de memoria es no volátil, tiene una densidad entre 8 y 10 veces superior a la DRAM y su performance puede llegar a ser cientos de veces superior que la de la flash NAND. Aun cuando 3D XPoint combina las ventajas de DRAM y NAND, no fue diseñada para reemplazar a ninguna de ellas, al menos por el momento: sus capacidades de almacenamiento están por debajo de las de la NAND 3D, y su performance se encuentra un orden de magnitud por debajo de la DRAM. Pero Intel y Micron están trabajando en ella desde 2012, y son muy optimistas con respecto a sus posibilidades futuras.
[youtube_sc url=»https://youtu.be/Wgk4U4qVpNY»]La arquitectura de 3D XPoint es básicamente un array de cruce de puntos de baja latencia. Las celdas de memoria se acceden y escriben o leen variando el voltaje enviado a cada selector. Esto elimina la necesidad de transistores, incrementando el potencial de capacidad y reduciendo costos. Con un tamaño de celda diminuto, un veloz selector de switching, un array de baja latencia y un algoritmo de escritura rápida, las celdas de 3D XPoint pueden cambiar de estado más rápido que cualquier tecnología actual de memoria no volátil. A su vez, gracias al uso de materiales innovadores, su durabilidad es drásticamente superior a la de la flash NAND.
La arquitectura puede escalar tanto horizontal como verticalmente: el chip inicial almacena 128 Gb por bloque a lo largo de dos capas de memoria, pero la cantidad de capas y la cantidad de celdas puede incrementarse mediante el apilado y la reducción de las tecnologías de proceso.
Intel y Micron confían en que la diferencia drástica de performance de 3D XPoint con respecto a la flash NAND acelerará muchas aplicaciones, incluyendo dispositivos de consumo, empresariales e incluso supercomputadoras. Intel estima que los discos de estado sólido basados en memoria 3D XPoint serán alrededor de 10 veces más veloces que las unidades actuales con interfaces PCIe NVMe.
[youtube_sc url=»https://youtu.be/VsioS35D-HY»]Los fabricantes proveerán muestras de chips 3D XPoint a las empresas interesadas más adelante este año, y esperan presentar los primeros productos basados en la nueva clase de memoria durante el año próximo. No se dieron a conocer ni los costos de fabricación ni los precios estimativos de los dispositivos basados en 3D XPoint. A modo de referencia, Intel y Micron indican que los costos de 3D XPoint se sitúan entre los de la NAND y los de la DRAM.
Para liberar todo el potencial de la nueva clase de memoria, se requerirán nuevas interfaces (PCI Express 4.0), nuevos controladores y nuevos programas. En consecuencia, hará falta esperar años para que 3D XPoint muestre todos sus beneficios. Hasta entonces, sólo será una tecnología exótica con un precio elevado y un gran potencial.
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