Kinam Kim, presidente de la unidad de negocios de semiconductores de Samsung Electronics, presentó su visión sobre el futuro de las tecnologías de fabricación de chips durante la edición de este año de la Solid-State Circuits Conference. Al igual que Intel, Samsung considera que para escalar la estructura de los chips más allá de los 10nm harán falta nuevos materiales y nuevas estructuras de transistores.
“Creemos que el cielo es el límite cuando se trata de desarrollar tecnologías de refinamiento de semiconductores”, dijo Kinam Kim durante su discurso en la conferencia de circuitos de estado sólido. “Samsung Electronics continuará su búsqueda de innovaciones en semiconductores para crear oportunidades de negocio más atractivas en la industria”.
El directivo de Samsung destacó que, a pesar de las preocupaciones en torno a los límites del escalamiento hacia tecnologías de proceso más delgadas, se espera mayor performance en los sistemas electrónicos para las décadas venideras, gracias a las innovaciones en materiales, estructuras y procesos. Kim señaló también que Samsung está desarrollando su proceso de fabricación de 10nm y que se espera que los chips que usen esta nueva tecnología emergerán en el mercado a fines de 2016 o durante 2017.
Según la visión de Samsung –coincidente con la de Intel–, las cosas se volverán complicadas más allá de los 10nm, pero los voceros de ambas empresas reconocen que las tecnologías de fabricación de 7nm e incluso de 5nm son perfectamente viables. Kim considera que en 7nm se hará necesario migrar a una nueva estructura de transistor diferente a FinFET/tri-gate. Según el directivo, la tecnología GAA FET (Gate-all-around FET), en la cual las compuertas del transistor están dispuestas todo alrededor de un nanocable, será viable por debajo de los 7nm; los GAA FETs pueden tener dos o cuatro compuertas efectivas. Cabe destacar que los GAA FETs fueron implementados tanto con nanocables de silicio como con nanocables de arseniuro de indio-galio (InGaAs). Por consiguiente, es posibles que Samsung, al igual que Intel, opte por utilizar el material InGaAs en chips de 7nm o menos.
Tomando en cuenta que la cantidad de dispositivos móviles se elevará mucho en los próximos años, se requerirán tecnologías de fabricación cada vez más delgadas para crear chips energéticamente eficientes para dichos dispositivos. Es el momento para que Intel, Samsung y otros fabricantes comiencen a definir sus planes para 7nm, 5nm y otras tecnologías. Se avecinan cambios de paradigmas en la industria de los semiconductores. Ante estos cambios, es posible que los jugadores más débiles desaparezcan o se fusionen con los más grandes.
