La surcoreana ha anunciado el arranque de la producción en masa de sus primeros chips de memoria NAND Flash con proceso de manufactura de 10 nanómetros (nm), lo que permitirá soluciones de memoria, como tarjetas de memorias y unidades de estado sólido (SSD), de altas densidades y velocidades de transferencia superiores.
Estos nuevos chips no sólo ayudarán a incrementar la densidad o capacidad, sino también incrementarán la velocidad al aumentar el rendimiento hasta los 400 Mbps de tasa de transferencia mediante una interfaz toggle DDR (Double Data Rate) 2.0.
Samsung comenzó la producción inicial de chips de memorias de 10nm y 64GB en noviembre del año pasado, pero ahora comienza a producir nuevos chips con el mismo avanzado proceso de manufactura pero con una densidad de 128GB.
La empresa ya está preparando unidades SSD con capacidades superiores a los 500 GB para el mercado de computadores personales, mientras ayuda a la transición de discos duros (HDD) a unidades SSD como principal medio de almacenamiento en notebooks.
Cabe mencionar que Samsung venía utilizando chips de memoria de 64GB fabricados a 20nm (usados en sus unidades SSD 840 y 840 PRO), pero con el nuevo proceso de manufactura de 10nm, asegura que incrementará a más del doble la producción de chips, permitiendo eventualmente productos basados en estos chip más económicos. Por otra parte, incrementará también la capacidad de almacenamiento de los dispositivos que integren este tipo de memorias.
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